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Semblanza
Semblanza
Una amplia experiencia en Nanociencias y Nanotechnologias conectada con investigaciones ópticas, eléctricas y fotoeléctricas de estructuras de semiconductores de baja dimensionalidad: pozos cuánticos, alambres cuánticos y puntos cuánticos basados en los materiales de grupo IV (Si, Ge. SiC), grupo III – V (InAs, InP) y grupo II – VI (CdSe, ZnS) para el desarrollo de la física básica y aplicaciónes de las estructuras mencionadas en optoelectrónica, microelectrónica, espintrónica, biología y medicina. El estudio de las propiedades ópticas de puntos cuánticos en estructuras semiconductores para láseres (InAs/InGaAs, InP) y fotodetectores (Si, Ge) de nueva generación, en capas de nanocristales de SiC para substratos en electrónica de GaN, en puntos cuanticos de Si (Ge) en capas de SiOX para memorias con acumulación de carga, así como también en marcadores luminosos (CdSe/ZnS) para el diagnostico medico temprano en los estudios biológicos. El análisis de la variación de las propiedades ópticas de los puntos cuánticos contra los factores diferentes (temperatura, potencia de excitación, energía de los cuantos de excitacion, densidad de punto cuántico y su tamaño así como procesos de la bioconjugación) y el desarrollo de modelos teóricos para la explicación de los efectos mencionados.
Áreas de Interés
Áreas de Interés
Amplia experiencia en los investigaciones relacionadas con los defectos profundos y procesos electrónicos en generación de los defectos estimulados por recombinación o radiación en condiciones de noequilibrio (recombination enhanced defect reactions in solids) en semiconductores - materiales del grupo II – VI, III-V, en las estructuras y los dispositivos optoelectronicos. Estudio de transformación defectos con niveles profundos y defectos creados por radiación en semiconductores; así como también estudio de los reacciones fotoquímicas en sólidos stimulados por luz. La investigación de la cinética de los procesos mencionados y la elaboración de modelos teóricos para su descripción.